為了進(jìn)一步提升我校學(xué)子的國(guó)際視野，受我院邀請(qǐng)，臺(tái)灣國(guó)立暨南國(guó)際大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系吳幼麟教授，于2017年6月19日到我校進(jìn)行了名為“Resistive Switching Random Access Memory Devices Using γ-APTES as Insulator Layer”的講座。本次報(bào)告由微固學(xué)院龔天巡老師主持，吸引了不少微固老師和學(xué)子到場(chǎng)學(xué)習(xí)。
吳幼麟教授是臺(tái)灣國(guó)科會(huì)高科技設(shè)備前瞻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃技術(shù)發(fā)展委員會(huì)委員，其主要研究領(lǐng)域包括: 薄閘極氧化層納米電特性、固態(tài)生醫(yī)感測(cè)器、 有機(jī)半導(dǎo)體傳導(dǎo)特性、薄膜太陽(yáng)能電池。在我校首屆“研究生人文教育與學(xué)術(shù)交流月”活動(dòng)中，吳幼麟教授就曾為我校研究生開(kāi)設(shè)了高水平學(xué)術(shù)課程“Resistive Switching Memory Technology”。吳教授在本次講座中介紹了γ-APTES材料用于RRAM的一種新型應(yīng)用，關(guān)于該應(yīng)用的論文即將發(fā)表。報(bào)告通過(guò)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的詳細(xì)數(shù)據(jù)和測(cè)試圖形展示了γ-APTES用于RRAM的MIM結(jié)構(gòu)中的絕緣層之后所顯示出的unipolar開(kāi)關(guān)特性，以及不需要forming的應(yīng)用特點(diǎn)，并且驗(yàn)證了通過(guò)在γ-APTES層中嵌入ZnO納米粒子可以改善器件的穩(wěn)定性和可靠性。
在互動(dòng)交流環(huán)節(jié)，師生們針對(duì)報(bào)告中感興趣的問(wèn)題提出了疑問(wèn)，吳教授一一進(jìn)行了詳細(xì)的講解和答疑。此次講座，對(duì)于從事RRAM方向研究的師生來(lái)說(shuō)受益匪淺。
本次講座是我校第二屆“研究生人文教育與學(xué)術(shù)交流月”高水平學(xué)術(shù)專題系列講座之一。同時(shí)，為了進(jìn)一步同我校師生共同探討“阻變存儲(chǔ)器”的最新研究生成果和發(fā)展動(dòng)態(tài)，吳教授還在此次“人文交流月”中，為我校研究生同學(xué)開(kāi)設(shè)了高水平學(xué)術(shù)課程“阻變存儲(chǔ)器”，歡迎各位同學(xué)加入本課程的學(xué)習(xí)。
